XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，单论技术指标应该不占优势了。存换存墙现在把它做到后端金属层中，个方最新曝光的向突是一份编号为20260191095的专利申请，XBM不太可能直接取代HBM内存，难M内I内功耗更低，存换存墙功耗越来越高，个方结合里面提到的向突参数来推测，容量，难M内I内而是存换存墙Intel换了个方向开辟高性能内存之路，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的个方内存墙问题，面积效率越来越低，向突未来难以为继。难M内I内届时会有HBM5、存换存墙HBM6，个方在当前的HBM内存中Intel话语权不高，

根据这个专利，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，

7月6日消息，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、

Intel是内存技术起价的，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。布线复杂，包括面积被TSV侵占，

最终做出来的XBM内存面积效率高，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，一个电容（1T1C）、

总的来说，2024年12月26日申请的，公开时间是今年7月2日。

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，这一轮内存大涨价归因于AI需求，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，