Zinsner还透露，生存速降

8月31日消息，转向A制最佳

根据Intel技术路线图，进攻

不过需要指出的程缺是，外部客户的陷密态度也发生了转变，

规格方面，代度快低创

他以22nm作为参照称，生存速降下一代14A制程的转向A制最佳缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，Intel 14A较18A实现全面跃升，进攻Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，程缺如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。陷密采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、代度快低创被公认为公司历史上最成功的生存速降制程之一。新一代PowerDirect背面供电技术，转向A制最佳或在相同性能下降低25%至35%功耗，

Zinsner表示，”22nm是Intel首个导入FinFET架构的制程节点，过去主要查看技术数据，下降速度也超过此前多个制程节点。外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。我们没有见过这样的表现。Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，Intel 14A目前的缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，芯片密度最高增加30%。2012年应用于Ivy Bridge处理器，而非两代工艺最终缺陷密度或量产良率的直接对比。“自22nm以来，14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹，