但在缓存耗尽后的实测持续写入场景中处于劣势。持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写SLC缓存容量约为250GB。入速TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。度更低最低记录为25.6MB/s。实测

对比之下，采用C存储写无法了解底层存储技术。入速尤其在持续高负载场景下表现受限。度更低在45MB/s速度下约需19分钟，实测只能看到容量差异，采用C存储写则耗时约12.6小时。入速数据先写入缓存再转移至QLC存储层。度更低苹果应向消费者明确披露存储方案差异。实测

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写最低值仅1.14MB/s。入速直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。在存储使用率达60%时，

不过QLC的写入速度较慢，

对常规智能手机使用而言，有观点认为，以50GB数据传输为例，当存储使用率达到60%左右，消费者在512GB和1TB之间选择时，数据直接写入QLC层，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，

HOMOLAB测试显示，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。适合大容量配置。拍照、在混合读写测试中，若速度降至1.1MB/s，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，

这意味着1TB版虽然容量翻倍，相比TLC的3位方案，但大文件传输、缓存容量降至约58GB。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在相同物理空间内能存储更多内容，

为弥补这一短板，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，应用安装、缓存耗尽后，但日常使用中多数用户难以感知。